[发明专利]线路板高分子导电膜孔工艺及其搭配图形电镀的生产工艺

摘要

本发明公开了一种线路板高分子导电膜孔工艺，包括调整、促进、高分子聚合、后微蚀等步骤，利用调整剂不粘附于铜面的特性，在促进过程中仅在具有调整剂的非金属表面上形成二氧化锰层，并在酸性催化下在二氧化锰表面形成高分子聚合物导电膜，该工艺具有工序简易、药水消耗量低、污水产生量低、水消耗量低、不含有害化学物质、低螯合物及少沉淀物等环保效益，亦有不受钯价格影响、占用空间小、成本低及高收益等经济效益，更具有选择性、无铜粒生产、盲孔能力、水平和垂直均可、出色内层结合力、盲孔开窗位不起泡等技术优势，且可直接搭配图形电镀工艺，更具有线宽及BGA大小易控制，不会造成线细以及BGA变小问题，而且无需一铜后塞，缩减了成本。

主权项

一种线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，包括下述工艺步骤：1)调整→2)促进→3)高分子聚合→4)后微蚀；其中，1)调整：在调整剂中浸泡以对非金属表面进行清洁和调整，所述调整剂中含有碳酸钠和氢氧化钠，且碳酸钠的浓度55～75ml/L，且控制调整剂的pH值为10.5～12.5，工作温度控制在60±3℃，作业时间控制在62±5sec；2)促进：在促进剂中浸泡以使在步骤1)调整后的非金属表面上形成二氧化锰覆盖层，所述促进剂中含有高锰酸盐和硼酸，且促进剂中MnO4‑浓度为80～120g/L、MnO42‑浓度为0～3g/L和硼酸浓度为8～19g/L，且控制促进剂的pH 值为5～7，工作温度控制在90±3℃，作业时间控制在70±5sec；3)高分子聚合：在有机液体中浸泡以使在步骤2)形成的二氧化锰覆盖层的表面上形成高分子聚合物导电膜，所述有机液体含有有机酸和能够形成所述高分子聚合物的单体，且所述单体的浓度为8.3～13.2ml/L和有机酸的浓度为11.5～25ml/L，且控制有机液体的pH值为1.8～2.5，工作温度控制在16～22℃，作业时间控制在75±5sec；4)后微蚀：在后微蚀药水中浸泡以对铜面进行清洁和咬蚀，所述后微蚀药水中含有过氧化氢和硫酸，且浓度为H2O213～21ml/L和H2SO420～30ml/L，工作温度控制在30±3℃，作业时间控制在18±5sec，咬蚀量控制在2～6μ；在进行步骤1)之前，需要进行微蚀步骤：在微蚀液体中浸泡以对铜表面进行清洁和微粗糙，所述微蚀液体中含有过硫酸钠和硫酸，且浓度为Na2S2O8 30～70g/L和H2SO4 30～50ml/L，且控制微蚀液体中铜离子浓度＜20g/L，工作温度控制30±3℃，作业时间控制在55±5sec。