[发明专利]基于电荷陷阱的存储器

摘要

本发明涉及基于电荷陷阱的存储器。本发明描述制作3D电荷陷阱存储器单元的方法连同包含所述3D电荷陷阱存储器单元的设备及系统。在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中，可形成大致垂直开口。在所述垂直开口内侧，可形成包括第一层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分的大致垂直结构。本发明还描述额外实施例。

主权项

一种存储器装置，其包括：大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括在大致垂直的开口内形成的电介质层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及硅外延部分，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠由导电材料及绝缘材料的交替层而形成，其中所述电荷陷阱层与所述外延硅部分的大致垂直的表面直接接触，所述外延硅部分具有从所述外延硅部分的顶部延伸到所述外延硅部分的底部的高度，所述电介质层覆盖所述大致垂直的开口的侧壁，且所述外延硅部分的侧壁分别由所述穿隧氧化物层和所述电荷陷阱层覆盖，且其中所述电荷陷阱层的一部分填充所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间的间隙。