[发明专利]一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法在审
| 申请号： | 201410292957.8 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104241217A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于中尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法，所述结构包括芯片、再布线层、限高块、凸点，其中，所述芯片设置在所述再布线层的第一面上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；所述限高块设置在所述再布线层的第一面上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 背面 裸露 扇出型 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片背面裸露的扇出型封装结构，其特征在于，所述结构包括：芯片；再布线层，所述芯片设置在所述再布线层的第一面上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；限高块，所述限高块设置在所述再布线层的第一面上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；凸点，所述凸点设置在所述再布线层的第二面上，其中所述第一面与所述第二面为相反的面；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。
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