[发明专利]一种低功耗高PSRR带隙基准源

摘要

本发明公开了一种低功耗高PSRR带隙基准源，包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路。该低功耗高PSRR带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。

主权项

一种低功耗高PSRR带隙基准源，其特征在于，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路；所述第一P沟道场效应管、所述第二P沟道场效应管、所述第四P沟道场效应管和所述第五P沟道场效应管组成电流镜，且所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等；所述第一P沟道场效应管的栅极、所述第二P沟道场效应管的栅极、所述第三P沟道场效应管的栅极分别相连，且与所述第四P沟道场效应管的漏极相连；所述第四P沟道场效应管的栅极、所述第五P沟道场效应管的栅极、所述第六P沟道场效应管的栅极分别相连，且与所述第一电阻和所述第三电阻的连接节点相连；所述第一P沟道场效应管的漏极与所述第四P沟道场效应管的源极相连，所述第二P沟道场效应管的漏极与所述第五P沟道场效应管的源极相连，所述第三P沟道场效应管的漏极与所述第六P沟道场效应管的源极相连；所述第四P沟道场效应管的漏极依次通过所述第一电阻、所述第三电阻与所述第一双极型晶体管的发射极相连；所述第五P沟道场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述第二双极型晶体管的发射极相连；所述第六P沟道场效应管的漏极通过所述第四电阻与所述第二双极型晶体管的发射极相连，且所述第六P沟道场效应管的漏极与电压输出端相连；所述第一双极型晶体管的基极与所述第二双极型晶体管的基极相连并接地，所述第一双极型晶体管的集电极与所述第二双极型晶体管的集电极相连并接地；所述电压反馈电路的电压反馈输入端与所述第五P沟道场效应管的漏极相连，电压反馈输出端分别与所述第一P沟道场效应管的源极、所述第二P沟道场效应管的源极和所述第三P沟道场效应管的源极相连；所述电压反馈电路用于根据所述第五P沟道场效应管的漏极电压确定输出反馈电压，控制所述第四P沟道场效应管的漏极电压与所述第五P沟道场效应管的漏极电压相等。