[发明专利]一种石墨烯薄膜的图形化方法在审
| 申请号： | 201410298301.7 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104051239A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 潘洪亮;崔华亭;史浩飞;余崇圣;张为国;钟达 | 申请（专利权）人： | 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401329 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯薄膜的图形化方法，该方法采用紫外线在臭氧环境中透过石墨烯掩膜板对石墨烯薄膜进行图形化，具体来说，包括以下步骤：首先制备石墨烯薄膜并转移到衬底上；然后制作石墨烯掩膜板；接着将石墨烯掩膜板和石墨烯薄膜放置在臭氧环境中；最后在臭氧环境中透过石墨烯掩膜板对石墨烯薄膜进行图形化。本发明石墨烯薄膜的图形化方法不仅生产成本低，而且加工效率高，为石墨烯的工业化应用扫清了重要的技术性障碍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：在臭氧环境中用紫外线透过石墨烯掩膜板对石墨烯薄膜进行图形化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
