[发明专利]形成FinFET器件的机制有效
| 申请号： | 201410308658.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599970B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;陈建颖;林志忠;林志翰;张永融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 finfet 器件 机制 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一鳍和第二鳍，位于所述衬底上方；第一栅电极和第二栅电极，分别横跨在所述第一鳍和所述第二鳍上方；栅极介电层，位于所述第一鳍和所述第一栅电极之间并且位于所述第二鳍和所述第二栅电极之间；以及伪栅电极，位于所述衬底上方，其中，所述伪栅电极位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，并且所述伪栅电极的上部宽于所述伪栅电极的下部，所述第一栅电极的下部宽于所述伪栅电极的下部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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