[发明专利]一种HfS3纳米带的制备方法及其制备的HfS3纳米带和用途无效
| 申请号： | 201410308789.7 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104030350A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朱俊杰;熊维伟;吴兴才;陈晋强 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01G27/00 | 分类号： | C01G27/00;H01L21/335;H01L29/772;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备HfS3纳米带材料的方法，将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合，充分研磨至混合均匀，将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中，抽真空，焰封。将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中，在一定温度下反应一段时间后，石英管内生成产物三硫化铪(HfS3)纳米带。由本发明HfS3纳米带材料制备FET或光探测器器件，FET为p型半导体，可见光探测器在可见光的波长范围内具有敏感的光电特性。本发明公开了其制法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfs sub 纳米 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种制备HfS3纳米带的方法，其特征是：首先将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合，充分混合均匀，然后，将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中，抽真空，焰封，将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中，在550‑750℃下反应5‑20h，产物三硫化铪(HfS3)纳米带就在石英管内生成，反应结束后，石英管自然冷却至室温，开管后，用摄子将产物取出，制得表面光滑、宽度为300‑500nm，长度为30‑50微米的HfS3纳米带。
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