[发明专利]半导体测试结构

摘要

一种半导体测试结构，第二测试金属层围绕若干穿硅通孔结构设置，该些穿硅通孔一端连接第一测试金属层，第一测试金属层与第二测试金属层位于半导体衬底的同一表面，将第一测试金属层连接成一整体。利用将多个穿硅通孔结构的第一测试金属层连接成一整体，某个穿硅通孔结构处的第一测试金属层扭曲变形会引起更多穿硅通孔结构处的第一测试金属层扭曲变形，即上述扭曲变形的形变量被放大，易造成更多穿硅通孔内的导电材料无法被绝缘层隔绝而向半导体衬底中扩散，此时，在穿硅通孔结构两端施加测试电压，则在第一测试金属层与第二测试金属层之间很容易检测到电流，上述电流为漏电流，即采用上述测试结构，性能不可靠的穿硅通孔结构很容易被检出。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的第一表面与第二表面，所述第一表面形成有第一测试金属层与第二测试金属层，所述第二测试金属层围绕所述第一测试金属层设置，所述第二表面至少形成有第一导电金属层；形成在所述半导体衬底内的多个穿硅通孔结构，所述穿硅通孔结构包括：侧壁设置的绝缘层以及内部填充满的导电材料，每个所述穿硅通孔结构的一端与第一测试金属层连接，另一端与第一导电金属层连接，每个穿硅通孔结构对应的第一测试金属层连接成一整体。