[发明专利]具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法在审
| 申请号： | 201410309243.3 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104037245A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;潘淼;高平奇;韩灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 马莉华;崔佳佳 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法。具体的，本发明提供了一种太阳电池，包括N型半导体衬底；上电极，所述上电极位于所述N型半导体衬底的正表面上；感应层，所述感应层包括带固定负电荷的抗反射层，所述抗反射层包括带固定负电荷的掺杂态氮化硅层，且该抗反射层位于所述上电极中；所述抗反射层中固定负电荷的密度为1012～1013cm-2。本发明的太阳电池以包含掺杂态氮化硅层的抗反射层作为感应层的组成部分，抗反射性能优异，制备方法简单，同时，可极大降低太阳电池的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 负电荷 反射层 太阳电池 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：N型半导体衬底；上电极，所述上电极位于所述N型半导体衬底的正表面上；感应层，所述感应层包括带固定负电荷的抗反射层，所述抗反射层包括带固定负电荷的掺杂态氮化硅层，所述抗反射层位于所述上电极中；且所述抗反射层中固定负电荷的密度为1012～1013cm‑2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
