[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410311783.5 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105336614B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。其中在制造半导体器件的方法中，提供衬底，其中在衬底中包括腔体阵列，所述腔体的每个侧面方向分别与晶体的一个侧向晶面方向一致；在衬底表面上形成缓冲层，其中缓冲层的材料填充所述腔体；在缓冲层的表面上形成鳍片式沟道层。由于独立生长的晶体都产生了侧向晶面，从而位错缺陷密度显著降低，可以极大地提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：提供衬底，其中在衬底中包括腔体阵列，所述腔体的每个侧面方向分别与晶体的一个侧向晶面方向一致，所述腔体为∑形；在衬底表面上形成缓冲层，其中缓冲层的材料填充所述腔体，缓冲层的材料为InP；在缓冲层的表面上形成鳍片式沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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