[发明专利]一种SOI晶圆的激光标记方法有效
| 申请号： | 201410314613.2 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105336567B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 金兴成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI晶圆的激光标记方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI晶圆；在其正面依次形成第一介质层及第二介质层；S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，开口底部均到达所述埋氧层表面；S3：从所述SOI晶圆正面对所述激光标记区开口进行激光照射，激光照射深度到达所述背衬底上部，以在所述背衬底上部形成激光标记；S4：在所述激光标记区开口及所述浅沟槽隔离区开口中填充第三介质层，并进行平坦化去除开口外多余的第三介质层；所述浅沟槽隔离区开口中的第三介质层构成浅沟槽隔离结构，定义有源区。本发明的激光标记与浅沟槽隔离结构同步形成，可以在SOI晶圆正面形成清晰的激光标记，并有效减少晶圆缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 激光 标记 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI晶圆；在所述SOI晶圆正面依次形成第一介质层及第二介质层；S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，其中，在形成所述激光标记区开口的同时形成所述若干浅沟槽隔离区开口；所述激光标记区开口位于所述SOI晶圆边缘区域；所述激光标记区开口与所述浅沟槽隔离区开口的底部均到达所述埋氧层表面；S3：从所述SOI晶圆正面对所述激光标记区开口进行激光照射，激光照射深度到达所述背衬底上部，以在所述背衬底上部形成激光标记；S4：在所述激光标记区开口及所述浅沟槽隔离区开口中填充第三介质层，并进行平坦化去除开口外多余的第三介质层；所述浅沟槽隔离区开口中的第三介质层构成浅沟槽隔离结构，定义有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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