[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410317578.X | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104282743B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山下润一;寺岛知秀 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在埋入式绝缘膜和衬底之间形成空洞区域而提高耐压，并具有充分的机械强度。其具有衬底(12)；形成于该衬底上的埋入式绝缘膜(14)；形成于该埋入式绝缘膜之上的SOI层(20)；将该SOI层划分为第一SOI层(20a)和与该第一SOI层绝缘的第二SOI层(20b)的绝缘膜(22)；形成于该第一SOI层的元件(30)；以及在一端具有位于该第二SOI层正上方的焊盘(70a)，另一端与该第一SOI层相连接的电极(70)，在该第一SOI层正下方的该埋入式绝缘膜和该衬底之间具有空洞区域(18)，该第二SOI层正下方的该埋入式绝缘膜的至少一部分与该衬底直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；埋入式绝缘膜，其形成于所述衬底之上；SOI层，其形成于所述埋入式绝缘膜之上；绝缘膜，其以从所述SOI层的表面到达所述埋入式绝缘膜的方式形成，将所述SOI层划分为第一SOI层和与所述第一SOI层绝缘的第二SOI层；元件，其形成于所述第一SOI层；以及电极，其在一端具有位于所述第二SOI层的正上方的焊盘，另一端与所述第一SOI层相连接，在所述第一SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜和所述衬底之间具有空洞区域，所述第二SOI层正下方的所述埋入式绝缘膜的至少一部分与所述衬底直接接触。
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