[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201410319829.8 申请日: 2014-07-07
公开(公告)号: CN104078492B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 林奕呈;陈钰琪 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种像素结构,包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案,其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一、二导电层及半导体层,保护层具有第一至三开口,第一开口暴露出第一源极及第一源极区,第二开口暴露出第一漏极及第一漏极区,第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上,第一电极层还填入第一至三开口中,以使第一源极与第一源极区电连接,使第一漏极与第一漏极区电连接,使第一栅极与扫描线电连接。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
一种像素结构,包括:半导体层,包括第一半导体图案,该第一半导体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区;绝缘层,位于该半导体层上;第一导电层,位于该绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及与该第一源极连接的一数据线;第二导电层,位于该第一导电层上方且包括一扫描线;保护层,覆盖该第一导电层、该第二导电层以及该半导体层,该保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口,该第一开口未覆盖该第一源极以及该第一半导体图案的该第一源极区,该第二开口未覆盖该第一漏极以及该第一半导体图案的该第一漏极区,且该第三开口未覆盖该第一栅极以及该扫描线;以及第一电极层,位于该保护层上,其中该第一电极层还填入该第一开口、该第二开口以及该第三开口中,以使得该第一源极与该第一源极区电连接,使得该第一漏极与该第一漏极区电连接,且使得该第一栅极与该扫描线电连接。
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