[发明专利]包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物有效
| 申请号： | 201410322845.2 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104195602B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | C·勒格尔-格普费特;R·B·雷特尔;C·埃姆内特;A·哈格;D·迈耶 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 肖威,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种包含金属离子源和至少一种抑制剂的组合物，所述抑制剂可通过使a)包含活性氨官能团的胺化合物与b)氧化乙烯与至少一种选自C3和C4氧化烯的化合物的混合物反应而获得，所述抑制剂具有6000g/mol或更高的分子量Mw。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 抑制剂 空隙 微米 结构 填充 金属 电镀 组合 | ||
【主权项】：
一种包含金属离子源和至少一种抑制剂的组合物，所述抑制剂可通过使a)与b)反应而获得：a)含有活性氨官能团的胺化合物，b)氧化乙烯与至少一种选自C3和C4氧化烯的化合物的混合物，以生成氧化乙烯与至少一种其他C3和C4氧化烯的无规共聚物，所述抑制剂具有6000g/mol或更高的分子量Mw，且其中氧化乙烯与其他C3‑C4氧化烯的共聚物中的氧化乙烯含量为30％至小于35％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司，未经巴斯夫欧洲公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410322845.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
