[发明专利]一种半导体器件终端环的拐角结构、制造工艺及光掩膜板在审
| 申请号： | 201410324369.8 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104134687A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 胡浩 | 申请（专利权）人： | 成都星芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 杨春 |
| 地址： | 610207 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件终端环的拐角结构，以终端环的圆心为中心，弧形拐角部位由内向外分为多个掺杂浓度由内而外逐渐减小的弧形条状区域。本发明还公开了一种拐角结构的制造工艺，包括旋涂光刻胶，并使用以下光掩膜板进行曝光、显影：以光掩膜板的中点为中心，光掩膜板的弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小；通过P型或N型杂质注入形成掺杂；高温氧化推结；通过N型或P型注入形成场截止环；形成场板。本发明还公开了一种用于半导体器件终端环制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，以光掩膜板的中点为中心，弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小。本半导体器件终端环拐角部位的掺杂浓度逐渐变化，实现平滑过渡，提高耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终端 拐角 结构 制造 工艺 光掩膜板 | ||
【主权项】：
一种半导体器件终端环的拐角结构，其特征在于：以所述终端环的圆心为中心，所述终端环的弧形拐角部位由内向外分为多个弧形条状区域，多个所述弧形条状区域的掺杂浓度由内而外逐渐减小。
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