[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201410325781.1 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104300003B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 甘利浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备。根据本技术的实施方式提供了一种薄膜晶体管，包括：栅电极以及一对源电极和漏电极；以及半导体层，具有在其中形成的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，其中，所述一对连接部的相对面中的一者或者两者为非平面。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极以及一对源电极和漏电极；以及半导体层，具有形成在其中的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，其中，所述一对连接部中的每一个在横穿所述栅电极的相对面中的一个或两个面为非平面，其中，每一个所述连接部形成通孔的壁面，所述通孔穿透所述半导体层的全部厚度、第一绝缘层的全部厚度以及第二绝缘层的厚度的至少部分，所述第一绝缘层设置在所述半导体层与所述一对源电极和漏电极之间，所述第二绝缘层设置在所述半导体层与所述栅电极之间。
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