[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括半导体衬底，包括第一区域和第二区域；第一杂质层，形成在第一区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第一杂质；第二杂质层，形成在第二区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第二杂质或包含第一杂质和第三杂质，第二杂质的扩散常数小于第一杂质的扩散常数，第三杂质抑制第一杂质的扩散；第一外延半导体层，形成在第一杂质层上；第二外延半导体层，形成在第二杂质层上；第一栅极绝缘膜，形成在第一外延半导体层上；第二栅极绝缘膜，比第一栅极绝缘膜薄，形成在第二外延半导体层上；第一栅电极；第二栅电极；第一源极区/漏极区以及第二源极区/漏极区。其能够满足低电压晶体管和高电压晶体管两者的需要，实现高性能及高可靠性。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括第一区域和第二区域；第一杂质层，形成在所述第一区域的所述半导体衬底中并且包含第一导电类型的第一杂质；第二杂质层，形成在所述第二区域的所述半导体衬底中并且包含第一导电类型的第二杂质或包含所述第一杂质和第三杂质，所述第二杂质的扩散常数小于所述第一杂质的扩散常数，所述第三杂质抑制所述第一杂质的扩散；第一外延半导体层，形成在所述第一杂质层上；第二外延半导体层，形成在所述第二杂质层上；第一栅极绝缘膜，形成在所述第一外延半导体层上；第二栅极绝缘膜，比所述第一栅极绝缘膜薄，形成在所述第二外延半导体层上；第一栅电极，形成在所述第一栅极绝缘膜上；第二栅电极，形成在所述第二栅极绝缘膜上；第一源极区/漏极区，形成在所述第一外延半导体层中；以及第二源极区/漏极区，形成在所述第二外延半导体层中。