[发明专利]磁性存储轨道和磁性存储器有效
| 申请号： | 201410330469.1 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105244043B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;杨凯;张树杰;赵俊峰;杨伟;傅雅蓉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | G11B5/02 | 分类号： | G11B5/02;G11B5/62;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 轨道 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储轨道，其特征在于，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，其中，所述存储轨道单元包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域，每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括：选通电路，所述选通电路的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，所述选通电路的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元中的磁畴移动；读写装置，与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，用于在所述选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。
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