[发明专利]具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板

摘要

本发明提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板。该制作方法包括：步骤1、形成栅极(21)与第一金属电极(23)；步骤2、形成栅极绝缘层(3)与栅极绝缘层过孔(31)；步骤3、形成氧化物半导体层(4)；步骤4、对部分氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)，构成第一存储电容C1；步骤5、形成蚀刻阻挡层(6)与第一蚀刻阻挡层过孔(61)；步骤6、形成源\漏极(71)与第二金属电极(73)，构成第二存储电容C2，且C2并联于C1；步骤7、形成保护层(8)、保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)；步骤8、形成像素电极(91)与第二导体电极(93)，构成第三存储电容C3，且C3并联于C2。

主权项

一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(21)的同时形成第一金属电极(23)；步骤2、在所述栅极(21)、第一金属电极(23)与基板(1)上沉积并图案化栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层过孔(31)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(4)；步骤4、对覆盖于所述第一金属电极(23)上方的栅极绝缘层(3)上的氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)；所述第一金属电极(23)、第一导体电极(5)与夹在二者之间的栅极绝缘层(3)构成第一存储电容C1；步骤5、在所述第一导体电极(5)、氧化物半导体层(4)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化蚀刻阻挡层(6)，形成与所述栅极绝缘层过孔(31)连通的第一蚀刻阻挡层过孔(61)；步骤6、在所述蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化第二金属层，形成源\漏极(71)的同时形成第二金属电极(73)；所述第一导体电极(5)、第二金属电极(73)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(6)构成第二存储电容C2；且所述第二金属电极(73)填充第一蚀刻阻挡层过孔(61)及栅极绝缘层过孔(31)，并与第一金属电极(23)连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；步骤7、在所述源\漏极(71)、第二金属电极(73)、与蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化保护层(8)，形成保护层过孔(81)及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔(63)；步骤8、在所述保护层(8)上沉积并图案化像素电极层，形成像素电极(91)的同时形成第二导体电极(93)；所述第二金属电极(73)、第二导体电极(93)与夹在二者之间的保护层(8)构成第三存储电容C3；且所述第二导体电极(93)填充所述保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)，并与第一导体电极(5)连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。