[发明专利]具有混合储存模式的固态储存装置有效
申请号: | 201410331434.X | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN105320463B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 廖崟权;潘鸿文 | 申请(专利权)人: | 宇瞻科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/08 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;常大军 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有混合储存模式的固态储存装置,主要由一快闪记忆体以及一与该快闪记忆体信息连接的数据处理模块。其中,该快闪记忆体包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区,该第一储存磁区的实体区块地址为P0至PM‑1,逻辑区块地址为L0至LM‑1,而该第二储存磁区的实体区块地址为PM至PM+N‑1,该逻辑区块地址为LM至LM+N‑1。该数据处理模块具有一解读一指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式。据此,以提供一种具高稳定性及高数据储存容量的固态储存装置。 | ||
搜索关键词: | 储存 磁区 逻辑区块地址 实体区块地址 快闪记忆体 固态储存 数据处理模块 储存数据 电位储存 数据处理模式 储存容量 高稳定性 信息连接 指令动作 高数据 解读 指令 | ||
【主权项】:
1.一种具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,包括有:一快闪记忆体,包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以相异于该第一电位储存模式的一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区,该第一储存磁区包含有M个数据区块,该第二储存磁区包含有N个数据区块,每一该数据区块分别对应一实体区块地址以及一逻辑区块地址,该第一储存磁区的实体区块地址为P0至PM‑1,而该逻辑区块地址为L0至LM‑1,该第二储存磁区的实体区块地址为PM至PM+N‑1,而该逻辑区块地址为LM至LM+N‑1,其中M、N为正整数;以及一数据处理模块,与该快闪记忆体信息连接,具有一接受一指令并解读该指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式;其中该第一电位储存模式为单级单元式,而该第二电位储存模式为多级单元式,该数据处理模块具有一判断该指令所包含的该逻辑区块地址为L0至LM‑1时对该指令加入一电位调变指令改变该指令原有电位储存方式的数据调变模式。
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