[发明专利]一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法有效
| 申请号： | 201410331508.X | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104085884A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李洁;王奇;韦娟;陈长伦;王祥科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，将GO旋涂在ITO导电玻璃上，烘干后置于等离子放电室中，放电室内接有石墨电极，电极连接一个射频交流电源，该电源能够产生电感耦合等离子体源，放电前先通入氩气，赶走空气，然后打开真空泵抽真空至2Pa左右，通入H2和Ar混合气体。H2和Ar总气体流量为3sccm，H2和Ar的流量比为2/1，此时打开交流电源产生氢和氩混合等离子体，交流电功率为70w，将该等离子体流直接作用在GO薄膜上，放电5min后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜。该方法不仅能有效还原GO，而且快速、高效、绿色同时不引入杂质。将制得的rGO薄膜用作电极材料，rGO薄膜的比容量为211.8F/g，高于其他还原方法得到的还原石墨烯的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sub ar 混合 等离子体 还原 氧化 石墨 go 提高 电化学 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种用氢(H2)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将一定量的氧化石墨烯GO溶液超声均匀分散，然后用旋涂仪将石墨烯GO旋涂在氧化铟锡ITO导电玻璃基底上，旋涂仪速度为2950‑3050 rpm，旋涂时间为88‑92 s，然后置于58‑62 °C的加热台上干燥4‑6 min，得烘干的氧化石墨烯GO薄膜；B、将载有氧化石墨烯GO薄膜的ITO导电玻璃置于等离子体放电室中，通过调节参数，在放电室内产生H2和Ar混合等离子体流，将该混合等离子体流直接作用在GO薄膜的表面，放电一定时间后制得还原石墨烯(rGO)薄膜。
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