[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410332407.4 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280590B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一导电层、一导电条纹、一介电层、与一导电元件。导电层具有一第一导电材料。导电条纹与导电层位于相同的阶层，并具有一第二导电材料。第二导电材料是邻接导电性质不同的第一导电材料。导电元件与导电条纹交错配置，并通过介电层分开于导电条纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一导电层，具有一第一导电材料；一导电条纹，与该导电层位于相同的阶层，并具有一第二导电材料，其中该第二导电材料是邻接于该第一导电材料，该第一导电材料与该第二导电材料具有不同的导电性质；一介电层；一导电元件，与该导电条纹交错配置，其中该导电元件是通过该介电层与该导电条纹分开；以及互不重叠的一存储器阵列区与一接垫区，其中该导电条纹位于该存储器阵列区中，该导电层位于该接垫区中；其中，该导电条纹是通过填充在孔隙中的该第二导电材料所形成，填充在孔隙中的该第二导电材料是受到孔隙上、下侧的介电膜与第一通孔中的介电层及导电插塞所支撑，而该介电层位于该导电插塞的侧壁上。
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