[发明专利]基准电压产生电路

摘要

本发明公开的基准电压产生电路，属于集成电路的技术领域。基准电压产生电路，包括：由输入电压转换为预调节电压的预调整电路，在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路，预调整电路包括：第一耗尽型NMOS管、第二耗尽型NMOS管，核心电路包括：第三耗尽型NMOS管、第四耗尽型NMOS管、增强型NMOS管，第一电阻。本发明简化电路并减小了版图面积，实现了任意值基准电压的输出，具有低功耗、低噪声、低温度系数、高PSRR的优点。

主权项

基准电压产生电路，包括：由输入电压转换为预调节电压的预调整电路，在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路，其特征在于，所述预调整电路包括：第一耗尽型NMOS管（DN11）、第二耗尽型NMOS管（DN22），核心电路包括：第三耗尽型NMOS管（DN1）、第四耗尽型NMOS管（DN2）、增强型NMOS管（MN1），第一电阻（R1），所述第一、第二耗尽型NMOS管（DN11、DN22）的漏极均接输入电压，第一、第二耗尽型NMOS管（DN11、DN22）的衬底均接地，第一耗尽型MOS管（DN11）源极、第二耗尽型NMOS管（DN22）栅极均与第三耗尽型NMOS管（DN1）漏极连接，第二耗尽型NMOS管（DN22）源极、第一耗尽型NMOS管（DN11）栅极均与第四耗尽型NMOS管（DN2）漏极连接，第三耗尽型NMOS管（DN1）的栅极、源极短接，第三耗尽型NMOS管（DN1）栅极与第四耗尽型NMOS管（DN2）栅极连接，增强型NMOS管（MN1）漏极接第三耗尽型NMOS管（DN1）源极，增强型NMOS管（MN1）源极接地，增强型NMOS管（MN1）栅极、第四耗尽型NMOS管（DN2）源极第一电阻（R1）一端连接在一起形成基准电压输出点，第一电阻（R1）另一端接地。