[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；第二器件区域：衬底；第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上。该半导体器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一器件区域和第二器件区域，其中，第一器件区域包括：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；第二器件区域包括：衬底；第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上；第一半导体区包括衬底上的第二半导体层和第二半导体层上的第三半导体层，第二半导体区为第四半导体层；第三半导体区为第二半导体层，第四半导体区为第四半导体层。