[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410340426.1 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105280697A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;许静;闫江;陈邦明;王红丽;唐波;唐兆云;徐烨锋;杨萌萌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，衬底具有第一半导体材料；第一有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层，以及空腔，空腔位于第一有源区堆叠的第二半导体层的端部、第三半导体层与衬底之间；第二有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层；隔离结构，位于第一和第二有源区堆叠两侧的衬底上；第一器件和第二器件，分别位于第一有源区堆叠和第二有源区堆叠之上，第一器件的源漏区位于空腔之上。本发明器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点，消除了浮体效应和自热效应。空腔处较低的介电常数，使得其可承受较高的电压，易于同传统的器件及工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，衬底具有第一半导体材料；第一有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层，以及空腔，空腔位于第一有源区堆叠的第二半导体层的端部、第三半导体层与衬底之间；第二有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层；隔离结构，位于第一和第二有源区堆叠两侧的衬底上；第一器件和第二器件，分别位于第一有源区堆叠和第二有源区堆叠之上，第一器件的源漏区位于空腔之上。
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