[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410341556.7 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN105451145B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 何昭文;李曼曼 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张亚利;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种MEMS麦克风及其形成方法,其中MEMS麦克风包括:第一晶圆,形成有导电极板;位于导电极板周围的第一支撑部、横亘在第一支撑部上的第一膜片,导电极板与第一膜片、第一支撑部具有间隙,第一支撑部导电;位于第一膜片上的至少一层第二膜片,第一膜片和所有第二膜片中的相邻两膜片之间具有第二支撑部,第二支撑部导电;位于每个第二膜片中的若干第一通孔;第二晶圆,在第二晶圆背面形成有凹槽,凹槽侧壁对应第二区的位置,凹槽对应第一区的位置,凹槽底面形成有若干声孔;在第二区位置,凹槽侧壁与第一晶圆的正面键合在一起,凹槽底面与顶层第二膜片之间具有间隙。第一通孔能分流声音,使第一膜片和第二膜片受到的损伤降低。
搜索关键词: mems 麦克风 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风的形成方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆的正面具有第一区和第二区,所述第二区环绕第一区,在所述第一区形成有导电极板;在所述第一区形成覆盖、且包围导电极板的第一牺牲层;在所述第一区形成位于第一牺牲层侧壁的第一支撑部、位于所述第一支撑部和第一牺牲层上的第一膜片,所述第一支撑部导电;在垂直于第一晶圆正面方向上,在所述第一膜片上对应第一牺牲层的位置形成至少一层第二牺牲层;在形成每层第二牺牲层后,形成位于该层第二牺牲层侧壁的第二支撑部、位于所述第二支撑部和第二牺牲层上的第二膜片,在每层所述第二膜片中形成若干相互隔开的第一通孔,所述第一通孔露出第二牺牲层,所述第二支撑部对应第一支撑部的位置,所述第二支撑部导电;在形成所有第二牺牲层、第二膜片和第一通孔后,去除第一牺牲层和所有第二牺牲层;提供第二晶圆,在所述第二晶圆背面形成有凹槽,所述凹槽的侧壁对应第二区的位置,所述凹槽对应第一区的位置,在所述凹槽的底面形成有若干相互隔开的声孔,所述声孔贯通第二晶圆正面;在所述第二区位置,将所述凹槽的侧壁与第一晶圆正面键合在一起,所述凹槽底面与顶层第二膜片之间具有间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410341556.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top