[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明涉及半导体存储器。半导体存储器包括：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元；多个位线对，与存储器单元阵列的各列相对应地放置；读出放大器，与多个位线对相对应地放置成多个，用于放大在位线对之间的电势差，其中，读出放大器具有：预充电晶体管，其每一个具有扩散层并且对位线对进行预充电；以及开关晶体管，其每一个具有与预充电晶体管的扩散层一体形成的扩散层，用于将多个位线对选择性地连接到公共总线。

主权项

1.一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有多个存储器单元；多个位线对，所述多个位线对与所述存储器单元阵列的各列相对应地放置；以及读出放大器，所述读出放大器与所述多个位线对相对应地放置成多个，并且每个所述读出放大器放大所述多个位线对之中的对应的一个位线对之间的电势差，其中，每个所述读出放大器包括：预充电晶体管，每个所述预充电晶体管具有扩散层并且对所述多个位线对之中的所述对应的一个位线对进行预充电；开关晶体管，每个所述开关晶体管具有与所述预充电晶体管的所述扩散层一体形成的扩散层，并且将所述多个位线对之中的所述对应的一个位线对选择性地连接到公共总线，以及放大器部，所述放大器部包括与所述多个位线对之中的所述对应的一个位线对连接的至少两个晶体管，并且用于放大在所述多个位线对之中的所述对应的一个位线对之间的电势差，其中，每个所述开关晶体管的栅极具有沿着与所述位线方向垂直的垂直方向的纵向方向，其中，通过所述放大器部在所述垂直方向上的宽度来限定所述读出放大器的读出放大器节距，其中，将所述读出放大器中所包含的所述放大器部在所述垂直方向上以所述读出放大器节距重复放置，以及其中，每个所述开关晶体管的栅极延伸至相邻的读出放大器节距。