[发明专利]用于制作HVA像素电极的方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种用于制作HVA像素电极的方法及对应的阵列基板，应用于液晶显示技术领域，该方法包括：在基底上沉积第一金属材料经蚀刻形成第一金属导电层；在第一金属导电层上沉积第一绝缘材料和半导体材料经蚀刻形成中间层；在中间层上沉积第二金属材料经蚀刻形成第二金属导电层；在第二金属导电层以及裸露的中间层上涂敷第二绝缘材料经蚀刻同时形成接触孔及三维结构的绝缘结构体；在绝缘结构体表面以及裸露出的其它层上全面涂敷透明导电材料，并通过第五道光罩蚀刻形成透明导电层，同时还包括采用以上方法制成的阵列基板。本发明节省了一道光罩过程，节约了成本，缩短了阵列基板的制作时间，提高了产能，同时提高了液晶面板的穿透率。

主权项

一种用于制作HVA像素电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一基底上沉积第一金属材料，并采用第一道光罩对所述第一金属材料进行蚀刻以图案化形成第一金属导电层；在所述第一金属导电层上沉积第一绝缘材料和半导体材料，并采用第二道光罩对所述半导体材料进行蚀刻以图案化形成硅岛图案，裸露的第一绝缘材料和蚀刻后的半导体材料形成中间层；在所述中间层上沉积第二金属材料，并采用第三道光罩对所述第二金属材料进行蚀刻以图案化形成第二金属导电层；在图案化的第二金属导电层以及裸露的中间层上涂敷第二绝缘材料，并通过第四道光罩对所述第二绝缘材料进行蚀刻，以形成至少到达所述第二金属导电层的接触孔，其中，所述第四道光罩设计成还能蚀刻出具有三维结构的绝缘结构体；在所述绝缘结构体表面以及裸露出的其它层上全面涂敷透明导电材料，并通过第五道光罩蚀刻以图案化形成透明导电层。