[发明专利]等离子体刻蚀装置

摘要

本发明公开了一种可原位执行深沟槽图形刻蚀制程和无图形刻蚀制程的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其具有夹持基片的静电夹盘和设于基片外周侧并位于基片上方的可移动的环状遮蔽部件；用于驱动环状遮蔽部件在垂直方向上移动的驱动单元和控制单元。在待进行深沟槽图形刻蚀制程时控制单元控制驱动单元驱动环状遮蔽部件定位于远离基片的第一位置，在待进行无图形刻蚀制程时控制单元控制驱动单元驱动环状遮蔽部件定位于邻近基片的第二位置。本发明能够有效改善高深宽比结构图形刻蚀的形貌控制以及无图形刻蚀的均匀性。

主权项

一种等离子体刻蚀装置，用于原位执行深沟槽图形刻蚀制程和无图形刻蚀制程，其特征在于，该等离子体刻蚀装置包括：反应腔室，其具有：用于夹持待处理基片的静电夹盘；可移动的环状遮蔽部件，设于所述基片外周侧并位于所述基片的上方；驱动单元，用于驱动所述环状遮蔽部件在垂直方向上移动；以及控制单元，与所述驱动单元相连，其在待进行所述深沟槽图形刻蚀制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于远离所述基片的第一位置，在待进行所述无图形刻蚀制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于邻近所述基片的第二位置；其中所述环状遮蔽部件为遮蔽环或气体导向环；当所述环状遮蔽部件为遮蔽环、所述遮蔽环定位于所述第一位置时，其下表面与所述基片上表面的距离为15～30mm；当所述环状遮蔽部件为气体导向环、所述气体导向环定位于所述第一位置时，其下表面与所述基片上表面的距离为30～60mm。