[发明专利]一种存储器和存储器存储方法在审
| 申请号： | 201410345319.8 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105304139A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;丁冲;张君宇;张现聚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/00 | 分类号： | G11C17/00;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器和存储器存储方法，所述存储器包括多个存储模块，所述存储模块包括主存储阵列和虚假存储阵列；所述主存储阵列，用于存储信息；所述虚假存储阵列，包括第一虚假字线块和第二虚假字线块，所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域，用于存储数据，其中，所述第一虚假字线块和所述第二虚假字线块分别位于所述主存储阵列的顶部和底部。本发明提供的一种存储器和存储器存储方法，通过将虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域，用于存储芯片信息、芯片标识、接口信息和用户信息，以去除现有存储器的OTP区域，节省了存储器芯片面积以及降低了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，所述存储器包括多个存储模块，其特征在于，所述存储模块包括主存储阵列和虚假存储阵列；所述主存储阵列，用于存储信息；所述虚假存储阵列，包括第一虚假字线块和第二虚假字线块，所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域，用于存储数据，其中，所述第一虚假字线块和所述第二虚假字线块分别位于所述主存储阵列的顶部和底部。
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