[发明专利]一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法在审

专利信息
申请号: 201410345591.6 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN105336729A 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 柯其勇;许嘉哲;高印;陈智冈 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;G01R27/26
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;金鹏
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法,该结构包括:上极板,所述上极板包括用于与第一测试垫连接的突出部分;下极板,所述下极板包括用于与第二测试垫连接的突出部分;待监控的介质膜设置于所述上极板和下极板之间,所述上极板和下极板设置为使极板的突出部分不与另一极板的任何部分交叠。本发明提供的用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法能够得到理想状态的电容值,精确地监控介质膜厚。
搜索关键词: 一种 用于 监控 介质 测试 电容 结构 方法
【主权项】:
一种测试电容结构,用于监控介质膜的厚度,其特征在于,所述测试电容结构包括:上极板,包括第一突出部分;下极板,与所述上极板错开交叠设置,所述下极板包括第二突出部分;第一测试垫,与所述上极板的第一突出部分连接;第二测试垫,与所述下极板的所述第二突出部分连接;所述第一测试垫和第二测试垫中的一个用于输入测试信号,另一个用于输出测试信号;其中所述上极板和下极板设置为使所述上极板的第一突出部分或下极板的第二突出部分不与另一极板的任何部分交叠。
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