[发明专利]谐振器以及谐振器的谐振频率调控方法有效
申请号: | 201410346083.X | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104124938B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 段学欣;刘文朋;俞逸飞;庞慰;张浩;张代化 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种谐振器以及一种谐振器的谐振频率调控方法,该谐振频率调控方法包括提供一谐振器,其中,谐振器包括压电层和多个电极层;根据预期的谐振频率要求,在谐振器表面形成多层分子薄膜,其中,多层分子薄膜用于对谐振器的谐振频率进行调整。本发明通过在谐振器表面形成多层分子薄膜,并能够通过形成的多层分子薄膜简单有效的实现对谐振器谐振频率的调控,同时又能够节省成本,并提高频率调控的精度;此外,本发明通过对谐振器表面进行等离子处理,使多层分子薄膜在谐振器表面得到了选择性的沉积,避免了加工后的谐振器对键合线连接的影响。 | ||
搜索关键词: | 谐振器 以及 谐振 频率 调控 方法 | ||
【主权项】:
一种谐振器的谐振频率调控方法,其特征在于,包括:提供一谐振器,其中,所述谐振器包括压电层和多个电极层;根据预期的谐振频率要求,在所述谐振器表面形成多层分子薄膜,其中,所述多层分子薄膜用于对所述谐振器的谐振频率进行调整,并且通过在所述谐振器表面进行等离子处理,使所述多层分子膜沉积在所述谐振器表面的非焊盘区域位置上,不会沉积在金焊盘区域位置上。
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