[发明专利]一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元在审
| 申请号： | 201410346979.8 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104123962A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李建成;李聪;尚靖;李文晓;王震;谷晓忱;郑黎明;曾祥华;李浩 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，包括控制管、隧穿管以及选择管，控制管和选择管为PMOS晶体管，隧穿管为改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS晶体管；控制管、隧穿管的栅极连接在一起，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离；控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管和选择管驻留在第二个N阱中。控制管的源极、漏极与第一个N阱连接在一起作为控制端子，隧穿管的源极与第二个N阱连接在一起作为隧穿端子，选择管的栅极作为选择端子，选择管的源极与隧穿管的漏极连接，选择管的漏极输出数据。其与标准CMOS工艺兼容，且使用改进的隧穿管，能够增强隧穿管的反偏FN隧穿电流，从而提高存储单元的擦除效率，且对存储单元的数据保持性无影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多晶 掺杂 浓度 单栅非易失 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管以及选择管，控制管和选择管为PMOS晶体管，隧穿管为改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS管；控制管、隧穿管的栅极连接在一起，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离；控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管和选择管驻留在第二个N阱中；控制管的源极、漏极与第一个N阱连接在一起作为控制端子，隧穿管的源极与第二个N阱连接在一起作为隧穿端子，选择管的栅极作为选择端子，选择管的源极与隧穿管的漏极连接，选择管的漏极输出数据。
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