[发明专利]蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质有效
申请号: | 201410349106.2 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104332388B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | S.穆林格;K.皮尔希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,徐红燕 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了用于蚀刻工件的方法、被配置为蚀刻工件的装置以及非瞬态计算机可读介质。可以提供一种用于蚀刻工件的方法,所述方法可以包括确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线,每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应;确定所述工件的厚度曲线;基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间,以减少所述工件的总厚度变化;以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 工件 方法 装置 瞬态 计算机 可读 介质 | ||
【主权项】:
一种用于蚀刻工件的方法,所述方法包括:确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线,每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应;确定所述工件的厚度曲线;基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间,以减少所述工件的总厚度变化;以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间,其中,在所述工件之上分配所述蚀刻剂包括:将所述蚀刻剂分配器移动到所述多个位置中的第一位置;随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第一位置所确定的相应的蚀刻持续时间;随后将所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的第二位置;以及随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第二位置所确定的相应的蚀刻持续时间,其中,在把所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的所述第二位置的同时,停止在所述工件之上分配所述蚀刻剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造