[发明专利]NAND闪存器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410350413.2 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105336699B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 任佳;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11524;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NAND闪存器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心器件区和位于所述核心器件区边缘的外围电路区；在所述核心器件区上形成多个分立的第一栅极结构和位于所述第一栅极结构上的第一硬掩膜层，所述第一栅极结构包括第一栅极和第一栅介质层；在所述第一栅极结构两侧形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，直至形成暴露所述第一栅极侧壁的沟槽；对所述沟槽的侧壁进行冲刷工艺；在进行所述冲刷工艺之后，去除所述第一硬掩膜层。所述形成方法能够提高NAND闪存器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心器件区和位于所述核心器件区边缘的外围电路区；在所述核心器件区上形成多个分立的第一栅极结构和位于所述第一栅极结构上的第一硬掩膜层，所述第一栅极结构包括第一栅极和第一栅介质层；在所述第一栅极结构两侧形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，直至形成暴露所述第一栅极侧壁的沟槽；对所述沟槽的侧壁进行冲刷工艺，以修复损伤并形成覆盖所述沟槽侧壁的保护层；在进行所述冲刷工艺之后，去除所述第一硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
