[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板结构

摘要

本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板结构，该方法包括：步骤1、在基板(1)上形成栅极(2)与第一金属电极M1；步骤2、在栅极(2)、第一金属电极M1与基板(1)上连续成膜，依次形成栅极绝缘层(3)、半导体层、刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程形成岛状的半导体层(4)与岛状的刻蚀阻挡层(5)；步骤3、通过一道光刻制程图案化岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)，形成数个刻蚀阻挡层过孔(51)与栅极绝缘层过孔(31)；步骤4、形成源/漏极(6)与第二金属电极M2；步骤5、形成钝化保护层(7)；步骤6、形成平坦层(8)；步骤7、形成像素电极层(9)；步骤8、形成像素定义层(10)；步骤9、形成隔离柱(11)。

主权项

一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上成膜第一金属层，并图案化该第一金属层，形成位于基板(1)一侧的栅极(2)与位于基板(1)另一侧的第一金属电极M1；步骤2、在所述栅极(2)、第一金属电极M1与基板(1)上连续成膜，依次形成栅极绝缘层(3)、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程图案化所述半导体层与刻蚀阻挡层，形成岛状的半导体层(4)与岛状的刻蚀阻挡层(5)；步骤3、通过一道光刻制程图案化所述岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)，形成数个刻蚀阻挡层过孔(51)与栅极绝缘层过孔(31)，分别露出部分半导体层(4)、与栅极(2)；步骤4、在所述岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)上成膜第二金属层，并图案化该第二金属层，形成位于所述基板(1)一侧的源/漏极(6)与位于基板(1)另一侧的第二金属电极M2；所述源/漏极(6)填充数个刻蚀阻挡层过孔(51)与半导体层(4)连接；所述源/漏极(6)填充栅极绝缘层过孔(31)与栅极(2)连接；位于所述基板(1)另一侧的部分栅极绝缘层(3)夹在第二金属电极M2与第一金属电极M1之间；步骤5、在源/漏极(6)与第二金属电极M2上形成钝化保护层(7)，并图案化该钝化保护层(7)；步骤6、在所述钝化保护层(7)上形成平坦层(8)，并图案化该平坦层(8)；步骤7、在所述平坦层(8)上形成像素电极层(9)，并图案化该像素电极层(9)；所述像素电极(9)与源/漏极(6)连接；步骤8、在所述像素电极层(9)与平坦层(8)上形成像素定义层(10)，并图案化该像素定义层(10)。