[发明专利]一种带有补偿偏置电路的低噪声放大器有效
| 申请号： | 201410351700.5 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104158498B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 徐厚军;俞志君;姚英姿 | 申请（专利权）人： | 江苏星宇芯联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 蒋真 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)。这种偏置电路可以对温度，工艺角以及电源电压的变化进行一定的补偿，使得低噪声放大器在不同的工艺角，温度，电源电压下性能保持基本的稳定，或者做出进一步的过补偿调整，以满足实际生产和应用条件下的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 补偿 偏置 电路 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)；其中第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接电源(VCC)，栅极与第二电阻(R2)和第三电阻(R3)连接，第二电阻(R2)的另一端连接电源(VCC)，第三电阻(R3)的另一端连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极和第三NMOS晶体管(M3)的栅极，第三NMOS晶体管(M3)的栅极经过第一电容(C1)连接到地，第二NMOS晶体管(M2)的栅极连接第一NMOS晶体管(M1)的源极，第一NMOS晶体管(M1)的源极通过第一电阻(R1)连接到地；第二NMOS晶体管(M2)的源极直接连接到地；第三NMOS晶体管(M3)的漏极连接第四电阻(R4)，第四电阻(R4)为低噪声放大器的共栅晶体管(M6)的栅极提供偏置电压，并经过第三电容(C3)连接到地，第四电阻(R4)的另一端连接电源(VCC)，第三NMOS晶体管(M3)的源极连接第四NMOS晶体管(M4)的漏极和栅极，第四NMOS晶体管(M4)的栅极经过第五电阻(R5)给低噪声放大器的共源放大管(M5)的栅极提供偏置电压，并经过第二电容(C2)连接到地，第四NMOS晶体管(M4)的源极接地。
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