[发明专利]电感结构的制作方法以及电感结构有效
申请号: | 201410352936.0 | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104091781B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 黎坡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种电感结构的制作方法和电感结构,本发明电感结构的制作方法包括提供衬底;在衬底上形成介质层和位于所述介质层中的电感线圈,介质层覆盖所述电感线圈;对介质层表面进行平坦化处理;在位于电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽;在第一凹槽内形成磁性层。本发明电感结构包括上表面齐平的介质层;位于介质层中的电感线圈;位于所述电感线圈内部区域的介质层中的磁性层,磁性层能够增加电感线圈的感值,由于对介质层表面进行平坦化处理,能够使介质层上表面保持齐平,不会因为电感线圈的影响而产生台阶,去除介质层上的磁性材料层后,不会在台阶产生环状残留,从而能够减小涡流,提高电感线圈的Q值,进而提高电感线圈的性能。 | ||
搜索关键词: | 电感 结构 制作方法 以及 | ||
【主权项】:
一种电感结构的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成介质层和位于所述介质层中的电感线圈,所述介质层覆盖所述电感线圈;对所述介质层表面进行平坦化处理;在位于所述电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽;在所述第一凹槽内以及所述介质层上形成磁性材料层;去除位于所述介质层上的磁性材料层,位于所述第一凹槽内的磁性材料层形成磁性层;在所述衬底上形成位于所述介质层中的电感线圈的步骤中,所述制作方法还包括:形成位于所述介质层中的互连结构,所述互连结构包括焊盘,所述焊盘和电感线圈均为顶层金属材料;形成所述第一凹槽的方法包括:在所述介质层上形成具有第一开口和第二开口的第二图形化掩膜层,所述第一开口暴露出位于所述电感线圈内部区域的介质层上表面,所述第二开口暴露出焊盘上方的介质层上表面;以所述第二图形化掩膜层为掩膜,以所述焊盘表面作为停止层,刻蚀所述介质层形成露出焊盘表面的第二凹槽,在位于所述电感线圈内部区域的介质层内形成第一凹槽,之后去除所述第二图形化掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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