[发明专利]半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装无效
| 申请号： | 201410353021.1 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104425398A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 金泰贤;俞度在;朴兴雨 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 孙向民;肖冰滨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在此公开了一种半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。根据本发明优选实施方式的半导体封装包括：基底，在该基底上形成第一电路层；半导体装置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；第一通道，形成在第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 叠层式 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：基底，在该基底上形成第一电路层；半导体装置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；第一通道，形成在所述第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。
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