[发明专利]一种氧化硅膜材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氧化硅膜材料及其制备方法：将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入O₂气体和SiH₄气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得氧化硅膜材料；其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为200～260℃，工作压力为1～3Pa，功率为120～200W；其中，所述气相沉积的时间为4～6min；所述SiH₄气体与O₂气体的体积比为8～12，所述SiH₄气体与氩气的体积比为0.5～2。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氧化硅膜材料的厚度为101-102nm，薄膜不均匀性低于0.5％。

主权项

一种氧化硅膜材料，其特征在于，所述氧化硅膜材料的厚度为101‑102nm；且在四英寸基底范围内，薄膜不均匀性低于0.5％；其中，所述不均匀性的计算方法为：薄膜不均匀性＝(最大值‑最小值)/(平均值×2)×100％，四英寸基底范围内，所测不同点数不少于17个。