[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件在审
| 申请号： | 201410354105.7 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347727A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金正培;郑宝容;李海衍;金容载 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件。薄膜晶体管包括衬底、栅极、缓冲层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻停止层、源极和漏极。栅极被形成在衬底上。缓冲层部分地区覆盖栅极的两侧部分。栅极绝缘层覆盖栅极和缓冲层。有源层被形成在栅极绝缘层上。蚀刻停止层被形成在有源层上，并且具有位于有源层上的第一开口和第二开口。源极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第一开口与有源层接触。漏极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第二开口与有源层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 存储 电容器 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅极，设置在所述衬底上；缓冲层，部分地覆盖所述栅极的侧部分；栅极绝缘层，覆盖所述栅极和所述缓冲层；有源层，设置在所述栅极绝缘层上；蚀刻停止层，设置在所述有源层上，所述蚀刻停止层包括第一开口和第二开口；源极，设置在所述蚀刻停止层上，所述源极通过所述第一开口与所述有源层接触；以及漏极，设置在所述蚀刻停止层上，所述漏极通过所述第二开口与所述有源层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410354105.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
