[发明专利]集成电路以及制造集成电路的方法

摘要

提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。

主权项

一种半导体衬底中的集成电路，所述集成电路包括：所述半导体衬底的第一主表面中的沟槽，所述沟槽包括在第一方向延伸的第一沟槽部分和在所述第一方向延伸的第二沟槽部分，所述第一沟槽部分在横向方向经由另一个沟槽部分与所述第二沟槽部分相连接，所述另一个沟槽部分以相对于所述第一方向的倾斜角度延伸；沟槽传导结构，所述沟槽传导结构包括传导材料，所述传导材料被设置在所述第一沟槽部分之中；以及沟槽电容器结构，所述沟槽电容器结构包括设置在所述第二沟槽部分中的电容器电介质和第一电容器电极，所述第一电容器电极包括对所述第二沟槽部分的侧壁加衬的层。