[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 201410355631.5 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347111B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚;藤原英弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体集成电路器件，该半导体集成电路器件能够利用开销抑制而生成唯一ID。当生成唯一ID时，SRAM中的存储器单元的字线的电位上升至该SRAM的供电电压以上，并且随后下降至该SRAM的供电电压以下。当该字线的电位高于SRAM的供电电压时，相同数据被提供至存储器单元的两条位线。由此，SRAM中的存储器单元被置入无定义状态并且随后发生变化从而根据形成该存储器单元的元件的特性等保存数据。在制造SRAM时，形成存储器单元的元件的特性等发生变化。因此，SRAM中的存储器单元根据制造中所发生的变化保存数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：存储器单元，所述存储器单元包括：保持电路，所述保持电路具有多个MOSFET和一对输入/输出节点并且利用第一电压作为操作电压而进行操作；以及一对传输MOSFET，所述传输MOSFET分别耦合至所述输入/输出节点并且其栅极接收选择信号；以及电压生成电路，所述电压生成电路用于生成在绝对值方面高于所述第一电压的第二电压，其中响应于唯一ID生成指令，所述第二电压被应用于所述传输MOSFET的所述栅极，第三电压经由所述传输MOSFET被提供至所述输入/输出节点，并且随后应用于所述传输MOSFET的所述栅极的所述电压被降低至在绝对值方面比所述第一电压更低的电压。
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