[发明专利]衬底处理装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201410356571.9 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN104934346B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 板谷秀治 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟,金杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法,其恰当地进行向衬底外周侧的排气传导性调节,由此能够可靠地实现膜形成时的处理空间内压力的均匀化。衬底处理装置具有处理衬底的处理空间;排气缓冲室,具有以包围处理空间的侧方周围的方式设置的空间,供已供给至处理空间内的气体流入;传导性调节板,面对着处理空间和排气缓冲室之间的气体流路而配置。传导性调节板在与从处理空间向排气缓冲室的气体流路面对的内周侧端缘具有R状部分或斜坡倾斜状部分。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,其特征在于,具有:处理衬底的处理空间;载置所述衬底的衬底载置台;升降机构,使所述衬底载置台在搬运空间的搬运位置和所述处理空间内的衬底处理位置之间升降;将所述搬运空间和所述处理空间分隔开的隔板;气体供给系统,向所述处理空间内供给气体;排气缓冲室,具有以包围所述处理空间的侧方周围的方式设置的空间,供已供给至所述处理空间内的气体流入;气体排放系统,对流入所述排气缓冲室内的气体进行排气;传导性调节板,以在所述排气缓冲室和所述处理空间之间形成气体流路的方式配置在所述衬底的外周侧,所述衬底载置台在该衬底载置台的外周端具有向所述隔板的下表面侧突出的突出部,所述传导性调节板在所述衬底处于所述衬底处理位置时,内周侧被所述衬底载置台支承,在所述衬底处于所述搬运位置时,外周侧被所述隔板支承,所述传导性调节板构成为外周侧端缘延伸到所述排气缓冲室内,所述隔板构成为,内周端延伸到与所述气体流路相对的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410356571.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多时序生成电路及液晶显示器
- 下一篇:电热氢多能源站系统运行成本确定方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造