[发明专利]半导体组件和制造方法有效
| 申请号： | 201410357144.2 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104347616B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | A.S.卡什亚普;P.M.桑维克;周锐;P.A.罗西 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶晓勇,姜甜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单片集成半导体组件，包括：包括硅Si的衬底；在所述衬底上制作的氮化镓GaN半导体装置；以及在所述衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器TVS结构，其中所述TVS结构与所述GaN半导体装置电接触，并且所述TVS结构配置成在跨所述GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式；其中，所述TVS结构包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且与所述第一半导体区电接触；以及第三半导体区，具有第一导电类型，并且与所述第二半导体区电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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