[发明专利]制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201410361182.5 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104347437A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 宫木美典;山田胜 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 目的在于增强组装半导体器件的可靠性。提供有一种布线衬底,该布线衬底包括目标标记,该目标标记不设置在划片区域的延伸线上,而设置在划片区域的延伸线与第一最外外围焊区行的第一虚构延伸线之间以及划片区域的延伸线与第二最外外围焊区行的第二虚构延伸线之间,划片区域设置在第一半导体器件区域和第二半导体器件区域之间。此外,在安装半导体芯片之后,执行接线键合、执行树脂密封和安装焊料球。此后,基于目标标记指定划片区域并且沿着划片区域切割布线衬底。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)提供布线衬底,所述布线衬底包括上表面、与所述上表面相对的下表面、设置在所述下表面上的第一器件区域、设置在所述下表面上且设置在所述第一器件区域附近的第二器件区域、设置在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的划片区域、设置在所述下表面上并且设置在所述第一器件区域、所述第二器件区域和所述划片区域周围的外围部分、设置在所述外围部分中并且不设置在所述划片区域的延伸线上的目标标记、以矩阵形状设置在所述第一器件区域中的多个第一凸块焊区、以矩阵形状设置在所述第二器件区域中的多个第二凸块焊区、以及形成在所述下表面之上使得露出所述第一凸块焊区和所述第二凸块焊区的绝缘膜;其中:所述第一凸块焊区具有第一最外外围凸块焊区行,所述第一最外外围凸块焊区行布置在所述第一凸块焊区中的最外外围行中并且最靠近所述划片区域,所述第二凸块焊区具有第二最外外围凸块焊区行,所述第二最外外围凸块焊区行布置在所述第二凸块焊区中的最外外围行中并且最靠近所述划片区域,以及所述目标标记在平面图中被设置在所述划片区域的延伸线与所述第一最外外围凸块焊区行和所述第二最外外围凸块焊区行的延伸线中的每个延伸线之间,(b)在所述步骤(a)之后,将第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个安装在所述布线衬底的上表面上;(c)在所述步骤(b)之后,利用树脂密封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片;(d)在所述步骤(c)之后,分别在所述第一凸块焊区和所述第二凸块焊区上形成多个第一外部端子和多个第二外部端子;以及(e)在所述步骤(d)之后,基于所述目标标记指定所述划片区域,并且沿着所述划片区域切割所述布线衬底,其中在所述步骤(e)中,使用划片刀切割所述布线衬底。
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