[发明专利]半导体装置

摘要

得到一种能够降低制造成本，能够使动作稳定化的半导体装置。在填埋氧化膜(2)上设有活性硅层(3)。活性硅层具有低压区域(4)、高压区域(5)及连接区域(6)。沟槽隔离部(7)将低压区域、高压区域及连接区域彼此绝缘隔离。在低压区域设有低电位信号处理电路(8)，在高压区域设有高电位信号处理电路(9)。电容(15、17)设置在连接区域上，将交流信号从低电位信号处理电路传送至高电位信号处理电路。电容具有与低电位信号处理电路连接的低电位电极(15a、17a)和与高电位信号处理电路连接的高电位电极(15b、17b)。低电位电极和高电位电极分别具有层叠的多个配线层，两者的配线层彼此的侧壁相对而进行电容耦合。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底，其具有绝缘层；半导体层，其设置在所述绝缘层上，具有低压区域、高压区域以及连接区域；第1沟槽隔离部，其将所述低压区域、所述高压区域以及所述连接区域彼此绝缘隔离；低电位信号处理电路，其设置在所述低压区域，处理输入的第1信号并输出第2交流信号；高电位信号处理电路，其设置在所述高压区域，在比所述低电位信号处理电路高的电位下进行动作，处理所述第2交流信号并输出第3信号；以及电容，其设置在所述连接区域上，将所述第2交流信号从所述低电位信号处理电路传送至所述高电位信号处理电路，所述电容具有与所述低电位信号处理电路连接的低电位电极和与所述高电位信号处理电路连接的高电位电极，所述低电位电极具有层叠的多个第1配线层，所述高电位电极具有层叠的多个第2配线层，所述多个第1配线层与所述多个第2配线层彼此的侧壁相对而进行电容耦合。