[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底内具有若干平行排列的第一导电层，第一导电层具有第一端和第二端；位于衬底和若干第一导电层的部分表面的复合磁性结构，复合磁性结构包括重叠的绝缘层、以及相邻两层绝缘层之间的磁性层，复合磁性结构暴露出第一导电层的第一端和第二端表面；位于复合磁性结构的两侧的若干第一导电插塞和第二导电插塞，第一导电插塞分别位于若干第一导电层的第一端表面，第二导电插塞分别位于若干第一导电层的第二端表面；位于第一导电插塞、第二导电插塞和复合磁性结构的顶部表面的若干平行排列的第二导电层，第二导电层的两端分别位于第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面。所述半导体结构的性能改善。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有若干第一导电层，所述若干第一导电层的表面与所述衬底的表面齐平，所述第一导电层为条形且平行排列，所述第一导电层具有第一端和第二端，且若干第一导电层的第一端位于同一侧，若干第一导电层的第二端位于同一侧；位于所述衬底和若干第一导电层的部分表面的复合磁性结构，所述复合磁性结构包括若干层绝缘层和若干层磁性层交错重叠，其中，两层相邻的绝缘层之间具有一层磁性层，所述磁性层的厚度为10纳米～100纳米，所述磁性层的数量大于或等于两层，所述复合磁性结构至少横跨于两条相邻的第一导电层表面，且所述复合磁性结构暴露出若干第一导电层的第一端和第二端表面；位于所述复合磁性结构的两侧的若干第一导电插塞和若干第二导电插塞，所述若干第一导电插塞分别位于若干第一导电层的第一端表面，所述若干第二导电插塞分别位于若干第一导电层的第二端表面；位于所述第一导电插塞、第二导电插塞和复合磁性结构的顶部表面的若干第二导电层，所述若干第二导电层为条形且平行排列，所述第二导电层的两端分别位于第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面，且所连接的第一导电插塞和第二导电插塞分别位于相邻两条第一导电层表面。