[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置在审
| 申请号： | 201410367658.6 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104157697A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王灿;刘芳 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置。该氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极；还包括设置在氧化物有源层之上的紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。通过设置紫外阻挡层，阻挡紫外线对氧化物薄膜晶体管的影响，提高氧化物薄膜晶体管稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括：衬底基板；和依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极；所述氧化物薄膜晶体管还包括：设置在氧化物有源层之上的紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。
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