[发明专利]双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410369333.1 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104347406B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 佐佐木健次 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L21/331 分类号: H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/417
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 俞丹
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下,也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16),该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011],且与短边方向正交的截面形状为倒台面型,与长边方向正交的截面形状为正台面型;形成于集电极层(16)上的基极层(20);形成于基极层(20)上的基极电极(22);以及与基极电极(22)相连接,俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。
搜索关键词: 双极晶体管 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种双极晶体管,其特征在于,包括:俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层,所述集电极层的所述短边方向沿着结晶方位[011],且与所述短边方向正交的截面形状为倒台面型,与所述长边方向正交的截面形状为正台面型;形成于所述集电极层上的基极层;形成于所述基极层上的基极电极;以及与所述基极电极相连接、俯视时从所述集电极层的所述短边方向的端部向所述集电极层的外部引出的基极布线,所述基极层俯视时具有长边方向及短边方向,且与所述集电极层具有相同的结晶方位,所述基极层的所述短边方向沿着所述结晶方位[011],与所述基极层的所述短边方向正交的截面的形状为倒台面型,与所述基极层的所述长边方向正交的截面的形状为正台面型。
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