[发明专利]双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法有效
申请号: | 201410369333.1 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104347406B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 佐佐木健次 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/417 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下,也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16),该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011],且与短边方向正交的截面形状为倒台面型,与长边方向正交的截面形状为正台面型;形成于集电极层(16)上的基极层(20);形成于基极层(20)上的基极电极(22);以及与基极电极(22)相连接,俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。 | ||
搜索关键词: | 双极晶体管 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种双极晶体管,其特征在于,包括:俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层,所述集电极层的所述短边方向沿着结晶方位[011],且与所述短边方向正交的截面形状为倒台面型,与所述长边方向正交的截面形状为正台面型;形成于所述集电极层上的基极层;形成于所述基极层上的基极电极;以及与所述基极电极相连接、俯视时从所述集电极层的所述短边方向的端部向所述集电极层的外部引出的基极布线,所述基极层俯视时具有长边方向及短边方向,且与所述集电极层具有相同的结晶方位,所述基极层的所述短边方向沿着所述结晶方位[011],与所述基极层的所述短边方向正交的截面的形状为倒台面型,与所述基极层的所述长边方向正交的截面的形状为正台面型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造